Apa Bedanya Memory DDR5 vs DDR4 vs DDR3 – Spesifikasi DDR5
Jedec asosiasi memory mengumumkan standar JESD79-5 untuk kecepatan DDR5.
DDR4 resmi berhenti di 3200Mhz dengan kecepatan tranfer 16.8GB/s
DDR5 resmi dimulai dengan kecepatan 3200-6400Mhz, kecepatan tranfer 37.2GB/s
Aplikasi untuk desktop dan server mulai 2021.
VDIMM 1.1Volt, dengan internal voltase regulator.
Kapasitas per modul DDR5 mencapai 128GB maksimum dibanding DDR4 32GB
Chip 64Gbit dengan kapasitas 2TB permodul dengan 64bit, dibanding DDR4 sampai 32bit.
Perbaikan signal untuk tranfer kecepatan tinggi – Decision Feedback Equalization (DFE)
288 pin dengan power terpisah
Update Oktober 2020
Hynix, DDR5 dipastikan hadir tahun 2020.
Hynix mengatakan DDR5 dengan kapasitas besar, dapat dimanfaatkan untuk kecepatan AI, Big Data, Machine Learning dan lainnya.
Model pertama DDR5 memiliki spesifikasi
Kecepatan tranfer memory 4,8 – 5,6GBps untuk model awal dan sudah 1,8x lebih cepat dari standar DDR4.
Mengikuti standar JEDEC akan mencapai 6.4Gbps atau 8,4Gbps.
Voltase 1.1V
Menurunkan pemakaian power DRAM lebih hemat, lebih hemat 20% pemakaian power dibanding DDR4.
Kapasitas sampai 256GB modul DRAM dengan proses produksi Silicon TSV..
Modul chip bank DDR5, 2x lebih banyak dibanding DDR4 dengan ukuran yang sama
DDR5 baru tampil tahun 2021, dan meningkat 10% di tahun 2022, dan 43% perangkat sudah mengunakan DDR4 di tahun 2024.
Jadi masih cukup lama DDR5 mendominasi pasar hardware.
Jadwal pengembangan produk DDR Samsung
2021 (TBD) 4th-gen 10nm-class (1a) EUV-based 16Gb DDR5/LPDDR5 mass production
March 2020 4th-gen 10nm-class (1a) EUV-based DRAM development
September 2019 3rd-gen 10nm-class (1z) 8Gb DDR4 mass production
June 2019 2nd-gen 10nm-class (1y) 12Gb LPDDR5 mass production
March 2019 3rd-gen 10nm-class (1z) 8Gb DDR4 development
November 2017 2nd-gen 10nm-class (1y) 8Gb DDR4 mass production
September 2016 1st-gen 10nm-class (1x) 16Gb LPDDR4/4X mass production
February 2016 1st-gen 10nm-class (1x) 8Gb DDR4 mass production
October 2015 20nm (2z) 12Gb LPDDR4 mass production
December 2014 20nm (2z) 8Gb GDDR5 mass production
December 2014 20nm (2z) 8Gb LPDDR4 mass production
October 2014 20nm (2z) 8Gb DDR4 mass production
February 2014 20nm (2z) 4Gb DDR3 mass production
February 2014 20nm-class (2y) 8Gb LPDDR4 mass production
November 2013 20nm-class (2y) 6Gb LPDDR3 mass production
November 2012 20nm-class (2y) 4Gb DDR3 mass production
September 2011 20nm-class (2x) 2Gb DDR3 mass production
July 2010 30nm-class 2Gb DDR3 mass production
February 2010 40nm-class 4Gb DDR3 mass production
July 2009 40nm-class 2Gb DDR3 mass production
Baca Juga : 10 Cara Membersihkan RAM Laptop
DDR4
September 2019
Samsung A-die DDR4 tampil. Kenapa tipe memory tersebut menarik media.
Samsung tiam diam mengumumkan teknologi proses pembuatan chip 20nm akan pensiun. Dikenal dengan B-die
Memory DDR4 Samsung akan dibuat dengan teknologi terbaru kerapatan tinggi 10nm atau A-Die.
Samsung A-Die memiliki kerapatan tinggi, harga lebih baik. B-Die sangat baik di pasar overclock dan antusia PC.
Samsung M378A4G43AB2-CVF A-Die kabarnya sudah muncul di pasaran. Tapi kapasitasnya tidak tanggung tanggung mencapai 32GB, walau kecepatannya masih lambat dengan DDR4-2933, CL21-21-21 voltase 1,2V. Karena bukan untuk performa memory.
Samsung DDR4 model M378A4G43AB2-CVF 32GB tersebut dijual hanya $157
Crucial 32GB produsen memory juga menawarkan spesifikasi yang sama ditawarkan $171.
Update November 2014
Teknologi memory DDR dimulai dari DDR SDRAM.
- Tahun 2000, dimulai DDR SDRAM pertama
- Tahun 2003, kembali tampil memory DDR2 SDRAM
- Tahun 2007, kembali digantikan dengan DDR3 SDRAM. Cukup lama DDR3 bertahan, antara 3 – 4 tahun. DDR3 memulai debutnya sejak 2007
- Tahun 2014, sampai tahun 2014 dimulai DDR4, dan teknologi DDR4 stabil digunakan tahun 2016. Dengan munculnya procesor Ryzen dan Intel terbaru.
- Tahun 2018 DDR4 telah mencapai DDR4-4400
Perbedaan pertama untuk DDR4 terlihat sama seperti DDR3, tapi sedikit lebih tinggi 0,9mm. Tentu disain chip hanya dibedakan dari PCB produsen.
Perbedaan kedua DDR 3 dan DDR4 dalam bentuk fisik paling memebdakan, adalah letak pin dibagian bawah PCB memory modul.
Membuat setiap generasi memory DDR tidak dapat dipasang pada slot memory berbeda tipe.
Perbedaan ketiga voltase di tiap generasi DDR dibuat lebih rendah dan kecepatan memory lebih tinggi untuk DDR4.
DDR4 mengunakan 288 pin sedangkan DDR3 240 pin.
DDR3 memiliki pin sedikit ke kiri (bila menghadap ke arah memory modul.
Letak lubang pin pada slot memory pin DDR4 sedikit berada ke tengah.
Kecepatan DDR4
DDR4 dimulai dari 2133Mhz. Kecepatan tersebut adalah batas tertinggi dari DDR3 standar yang terakhir dibuat. Walau beberapa produsen menawarkan DDR3 lebih cepat.
DDR4 diteruskan sampai 3200Mhz. Chip DDR4 memiliki kerapatan lebih besar, mencapai 16Gb atau 2Gb perchip.
Kapasitas RAM mencapai 2 kali lebih banyak dibanding kapasitas RAM DDR3. Kecepatan DDR4 premium di tahun 2017 lalu, telah mencapai 4000Mhz +
Kedepan, DDR4 RAM dapat dimulai dari memory 16GB permodule, dan terbesar dapat mencapai 64GB untuk kelas server computer atau kelas performa PC.
Samsung sebagai produsen chip DDR4, membuat memory chip dengan kerapatan tinggi dengan pemakaian power lebih rendah.
Kingston meluncurkan DDR4 4800Mhz, satu modul mulai dari 8GB, terbesar 32GB permodul DDR4. Tinggal dilihat kemampuan chipset motherboard dan jumlah slot yang tersedia. Dngan 4 kit modul dapat mencapai 128GB RAM
Setiap teknologi memiliki kekurangan.
Ketika DIMM DRAM dibuat, belum dikenal dengan dual channel atau quad channel. DRAM modul hanya mengenal 1 slot DIMM untuk satu memory modul. Banyak penguna performa PC mencari memory dengan kecepatan latency rendah / memory timing. Artinya memory DRAM memiliki respon lebih cepat, seperti angka CL2.
Memory timing berbeda antara DDR4 dan DDR3, karena DDR4 dimulai pada kecepatan tinggi maka timingnya akan semakin besar.
Tetapi memory timing tidak mempengarhi kecepatan computer, karena latency atau kelambatan memory DDR4 dan DDR3
Apakah latency seperti CL10-11-12 membuat kecepatan memory lebih lambat. Memory DDR tidak lagi dilihat nilai Cas Latency. Nilai yang menentukan adalah Nano Second yang dihasilkan dari kecepatan memory. Semakin kecil maka memory modul semakin cepat. Nilai NS dapat dihitung dengan rumus ( CL / Frequency ) x 1000 atau seperti contoh ini – 2133MHz CL15 untuk DDR4 memory, ( 15 / 2133 ) * 1000 = 7.03ns
Atau mengambil perhitungan dari true latency (ns) = clock cycle time (ns) x number of clock cycles (cl)
Hasil kecepatan tersebut menghasilkan kecepatan tranfer bandwidth lebih tinggi dengan perbandingan semakin tingginya Clock Speed memory.
Dibawah ini penjelasan bahwa memory timing DDR dengan kecepatan memory.
DDR3 2133Mhz sudah mencapai CL 10 atau CL 11. Sedangkan DDR4 2133Mhz yang ada saat ini langsung naik dan mencapai CL 15
Dengan test procesor Core i7 5960X dan 4960X, hasil test Geekbench dari DDR3 dan DDR4 hanya berbeda sedikit saja.
Di kelas memory standar, DDR4 2133Mhz memiliki score 5691 dan DDR3 1600Mhz dengan score 5382
DDR4 dapat bekerja dengan voltase 1,35V, untuk DDR3 Low Power bekerja di 1,5V, sedangkan DDR3 performa bekerja pada voltase 1.65 Volt atau lebih tinggi
Tetapi dalam perkembangannya, DDR4 akan bekerja lebih hemat power bahkan sampai 1,2V dan 1.05V. Memory computer baik PC dan notebook akan lebih hemat power.
Beberapa produsen yangmenawarkan memory kecepatan tinggi seperti DDR4-4000+ untuk performa computer
- Gskill Trident Z tampil dengan DDR4-3600 16GB / 2x8GB dengan kecepatan latency CL 16-16-16-36 untuk AMD Ryzen
- GSkill DDR4-4400 16GB / 2x8GB dengan CL 19-19-19-39 untuk procesor Intel X
- Gskill DDR4-4200 64GB / 8x8GB dengan CL 19-21-21-41 untuk chipset Intel X299.
- Corsair DDR4-4266 16GB / 2x8GB dengan 19-26-26-46 untuk chipset Intel 200
- Kecepatan DDR4 untuk Desktop mencapai 4600Mhz dan Notebook 4000Mhz pada tahun 2017
Sebelumnya produsen memory Nanya harus bertahan setelah harga memory jatuh. Bahkan mencapai 28%. Samsung telah menginvestasikan bagi industri segmen DRAM, lebih dari 50% tahun lalu dengan nilai 2 miliar dollar. Membuat harga memory lebih stabil, khususnya DDR4.
Chipset DDR4
Setiap generasi procesor dan DDR memiliki evolusi baru, seluruhnya harus mendukung. DDR4 membutuhkan chip procesor terbaru termasuk slot DDR4 berbeda dari DDR3. Dan DDR3 juga berbeda dengan slot DDR2.
AMD menyiapkan pendukung DDR4. Dari Ryzen core arsitek dan chipset X399 untuk AMD Treadripper.
Teknologi proceor dan computer tahun 2017, telah mengunakan DDR4
- Baca Juga : Mengenal Pengertian Process Device
- Baca Juga : Cara Membedakan RAM DDR 1, DDR 2, DDR 3 dengan Sangat Mudah
Chip mendukung DDR 3 dan DDR4.
| Platform | Nama procesor | Arsitek | Memory Configuration |
|---|---|---|---|
| Broadwell-E | DDR4 UDIMM non-ECC tested at 2400 MT/s—1.2 V | ||
| Desktop | 7th Gen Intel® Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processor | Kaby Lake | DDR4 UDIMM non-ECC tested at 2400MT/s-1.2V l |
| 6th Gen Intel® Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processors | Skylake | DDR4 UDIMM non-ECC tested at 2133MT/s—1.2V | |
| 4th Gen Intel® Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processors | Haswell | DDR3 UDIMM non-ECC tested at 1600 MT/s—1.5 V | |
| Mobile | 7th Gen Intel®Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processors | Kaby Lake | DDR4 memory down tested at 2400MT/s-1.2V |
| DDR4 SoDIMM non-ECC tested at 2400MT/s-1.2V | |||
| LPDDR3 memory down tested at 1866 MT/s | |||
| Intel Atom® processor | Apollo Lake | LPDDR4 memory down tested at 2400MT/s – 1.1V | |
| 6th Gen Intel® Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processors | Skylake | DDR4 SoDIMM non-ECC tested at 2133MT/s – 1.2V | |
| DDR4 memory down tested at 2133 MT/s – 1.2V | |||
| 5th Gen Intel® Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processors | Broadwell | DDR3L SoDIMM tested at 1866 MT/s-1.35V | |
| LPDDR3 memory down tested at 1866/1600 MT/s—1.20 V | |||
| DDR3L/RS memory down tested at 1600 MT/s-1.35V | |||
| DDR3L SODIMM tested at 1600 MT/s—1.35 V | |||
| 4th Gen Intel® Core™, Intel® Pentium®, Intel® Celeron® processors | Haswell | DDR3L SODIMM tested at 1600 MT/s—1.35 V |
Modul DC DIMM DDR4 ukuran 2x lebih besar tahun 2018.
DC-DIMM dasarnya dari singkatan Double Capacity DIMM
2 merek memory G.Skill dan Zadak tampilkan memory DDR4. Tapi dengan kapasitas 2x lebih besar, dan ukurannya juga 2x lebih besar.
Memory chip yang dipakai buatan Samsung. Dirancang dengan 2 baris chip, sedangkan memory DDR4 standar hanya mengunakan 1 baris chip.
32GB mungkin saja dibuat untuk memory notebook ukuran 32GB DDR44 SODIMM. Walau tidak jelas apakah disain chip harus disesuaikan, karena letak memory notebook lebih sempit.
Merek Zadak model Zadak Shield DC Aura2 RGB DDR4-3200 desktop PC menawarkan kapasitas 32GB.
Gambar kiri disain memory double capacity, dan kanan model memory ukuran standar.
obengplus.com
Info ruanglab lainnya:
- Cara Cek Tipe RAM Laptop
- Cara Cek Kapasitas RAM Maksimal di Laptop Kamu
- Kenali 12 Jenis Port Pada Komputer Dan Kegunaannya
- Cara Cek Kecepatan RAM
